Datasheet IXFN44N80P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN44N80P на РадиоЛоцман.Цены — от 151 до 7 145 ₽ 25 предложений от 16 поставщиков Высоковольтное MOS, IXYS SEMICONDUCTOR IXFN44N80P Power MOSFET, N Channel, 44A, 800V, 190mohm, 10V, 5V
AllElco Electronics Весь мир	IXFN44N80P IXYS	от 666 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IXFN44N80P IXYS	от 1 919 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	IXFN44N80P IXYS	от 7 145 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	IXFN44N80P IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFN 44N80P
VDSS ID25
RDS(on)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 44 А
• Drain Source Voltage Vds: 800 В
• On State Resistance: 190 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 4
• Capacitance Ciss Typ: 12000 пФ
• Current Id Max: 39 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.12°C/W
• N-channel Gate Charge: 200nC
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 1.2 кВт
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 800 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 250 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900