Datasheet IXFN48N50 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит
Наименование модели: IXFN48N50
![]() 29 предложений от 18 поставщиков Модуль; одиночный транзистор; Uds:500В; Id:48А; SOT227B; 520Вт | |||
IXFN48N50Q IXYS | от 1 706 ₽ | ||
IXFN48N50Q IXYS | 2 877 ₽ | ||
IXFN48N50 IXYS | от 5 899 ₽ | ||
IXFN48N50 Littelfuse | 6 249 ₽ |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B
Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
VDSS IXFK / IXFN 44 N50 IXFK / IXFN 48 N50
ID25
RDS(on)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 48 А
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On State Resistance: 100 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: ISOTOP
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 48 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 100 МОм
- Тип корпуса: ISOTOP
- Power Dissipation Pd: 520 Вт
- Pulse Current Idm: 192 А
- Способ монтажа: Screw
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 500 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA121807A
- SCHRODER - 20900