Datasheet IXFN55N50 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN55N50 на РадиоЛоцман.Цены — от 92 до 4 267 ₽ 17 предложений от 13 поставщиков Транзистор IGBT модуль единичный N-Канальный 500V 55A 600W 0,080R SOT227B
ChipWorker Весь мир	IXFN55N50F IXYS	92 ₽	Купить
Maybo Весь мир	IXFN55N50F IXYS	3 749 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IXFN55N50 IXYS	4 267 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	IXFN55N50 IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFET
Single Die MOSFET
Preliminary data sheet Symbol Test Conditions
VDSS
ID25 55A 50A 55A 50A

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 55 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 80 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 55 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 80 МОм
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 600 Вт
• Pulse Current Idm: 220 А
• Repetitive Avalanche Energy Max: 60mJ
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4.5 В
• Вес: 0.046kg

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900