Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet IXFN60N60 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

IXYS IXFN60N60

Наименование модели: IXFN60N60

11 предложений от 10 поставщиков
MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B / N-Channel 600 V 60A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Кремний
Россия и страны СНГ
IXFN60N60
по запросу
IXFN60N60
IXYS
по запросу
Maybo
Весь мир
IXFN60N60
IXYS
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
IXFN60N60
IXYS
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
Preliminary data
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg VISOL Md Weight 50/60 Hz, RMS IISOL Ј 1 mA t = 1 min t=1s IS Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW Continuous Transient TC= 25°C, Chip capability TC= 25°C, pulse width limited by TJM TC= 25°C TC= 25°C TC= 25°C Ј IDM, di/dt Ј 100 A/ms, VDD Ј VDSS, TJ Ј 150°C, RG = 2 W TC = 25°C
IXFN 60N60 VDSS ID25

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 60 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 75 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: ISOTOP
  • Количество выводов: 3
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas: 4J
  • Current Id Max: 60 А
  • Current Temperature: 25°C
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Напряжение изоляции: 2.5 кВ
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • Температура перехода минимальная: -55°C
  • Количество транзисторов: 1
  • On State Resistance Max: 75 МОм
  • Тип корпуса: ISOTOP
  • Power Dissipation Pd: 600 Вт
  • Pulse Current Idm: 240 А
  • Repetitive Avalanche Energy Max: 64mJ
  • Способ монтажа: Screw
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 4.5 В
  • Вес: 0.04kg

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA121807A
  • SCHRODER - 20900

На английском языке: Datasheet IXFN60N60 - IXYS MOSFET, N, SOT-227B

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка