Datasheet IXFN60N60 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит
Наименование модели: IXFN60N60
![]() 13 предложений от 12 поставщиков MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B / N-Channel 600 V 60A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B | |||
IXFN60N60 IXYS | от 698 ₽ | ||
IXFN60N60 IXYS | 3 864 ₽ | ||
IXFN60N60 | по запросу | ||
IXFN60N60 IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B
Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
Preliminary data
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg VISOL Md Weight 50/60 Hz, RMS IISOL Ј 1 mA t = 1 min t=1s IS Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW Continuous Transient TC= 25°C, Chip capability TC= 25°C, pulse width limited by TJM TC= 25°C TC= 25°C TC= 25°C Ј IDM, di/dt Ј 100 A/ms, VDD Ј VDSS, TJ Ј 150°C, RG = 2 W TC = 25°C
IXFN 60N60 VDSS ID25
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 60 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 75 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: ISOTOP
- Количество выводов: 3
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 4J
- Current Id Max: 60 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Напряжение изоляции: 2.5 кВ
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 75 МОм
- Тип корпуса: ISOTOP
- Power Dissipation Pd: 600 Вт
- Pulse Current Idm: 240 А
- Repetitive Avalanche Energy Max: 64mJ
- Способ монтажа: Screw
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4.5 В
- Вес: 0.04kg
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA121807A
- SCHRODER - 20900