Datasheet IXFN60N80P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN60N80P на РадиоЛоцман.Цены — от 740 до 7 173 ₽ 28 предложений от 16 поставщиков Модуль; одиночный транзистор; 800В; 53А; SOT227B; Ugs: ±30В; 1040Вт
AiPCBA Весь мир	IXFN60N80P IXYS	1 120 ₽	Купить
IC Home Весь мир	IXFN60N80P IXYS	3 160 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	IXFN60N80P IXYS	от 7 173 ₽	Купить
727GS Весь мир	IXFN60N80P IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFN 60N80P
= 800 V = 53 A RDS(on) 140 m trr 250 ns
VDSS ID25

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 60 А
• Drain Source Voltage Vds: 800 В
• On State Resistance: 140 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 4
• Capacitance Ciss Typ: 18000 пФ
• Current Id Max: 53 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.12°C/W
• N-channel Gate Charge: 250nC
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 1.04 кВт
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 800 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 250 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900