Datasheet IXFN64N50P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN64N50P на РадиоЛоцман.Цены — от 194 до 3 767 ₽ 30 предложений от 15 поставщиков Модуль; одиночный транзистор; 500В; 50А; SOT227B; Ugs: ±40В; 625Вт
ChipWorker Весь мир	IXFN64N50P IXYS	2 031 ₽	Купить
Maybo Весь мир	IXFN64N50P IXYS	2 061 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	IXFN64N50P IXYS	от 3 601 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IXFN64N50P IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFN 64N50P
VDSS = 500 V ID25 = 61 A RDS(on) 85 m trr 200 ns
Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL VISOL Md Weight

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 64 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 85 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 4
• Capacitance Ciss Typ: 8700 пФ
• Current Id Max: 61 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.18°C/W
• N-channel Gate Charge: 150nC
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 700 Вт
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900