Datasheet IXFN73N30 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит
Наименование модели: IXFN73N30
![]() 13 предложений от 12 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 300 В, 73 А, 0.045 Ом, ISOTOP, Module | |||
IXFN73N30Q IXYS | 1 982 ₽ | ||
IXFN73N-30 | по запросу | ||
IXFN73N30 IXYS | по запросу | ||
IXFN73N30Q IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B
Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
V DSS IXFK 73 N 30 IXFN 73 N 30
ID25
RDS(on) 45 m 45 m
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 73 А
- Drain Source Voltage Vds: 300 В
- On State Resistance: 45 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: ISOTOP
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 73 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 45 МОм
- Тип корпуса: ISOTOP
- Power Dissipation Pd: 520 Вт
- Pulse Current Idm: 292 А
- Способ монтажа: Screw
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 300 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA121807A
- SCHRODER - 20900