Datasheet IXFN80N50 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXFN80N50 на РадиоЛоцман.Цены — от 121 до 7 870 ₽ 33 предложений от 20 поставщиков Модуль; одиночный транзистор; 500В; 66А; SOT227B; Ugs: ±30В; 700Вт
ChipWorker Весь мир	IXFN80N50 IXYS	121 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IXFN80N50P Littelfuse	2 135 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IXFN80N50Q2 IXYS	2 882 ₽	Купить
Элитан Россия	IXFN80N50P Littelfuse	4 032 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs Single Die MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
IXFN 80N50
D
VDSS ID25 RDS(on) trr

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 80 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 55 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4.5 В
• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 4
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 4J
• Current Id Max: 80 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 380nC
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 55 МОм
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 780 Вт
• Pulse Current Idm: 320 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
• Repetitive Avalanche Energy Max: 64mJ
• Reverse Recovery Time trr Typ: 250 нс
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
• Тип транзистора: MOSFET
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4.5 В
• Вес: 0.000036kg

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900