Datasheet IXFP3N120 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

Купить IXFP3N120 на РадиоЛоцман.Цены — от 117 до 1 465 ₽ 32 предложений от 15 поставщиков IXYS SEMICONDUCTOR IXFP3N120 MOSFET Transistor, N Channel, 3 A, 120 V, 4.5 ohm, 10 V, 5 V
AllElco Electronics Весь мир	IXFP3N120 IXYS	от 117 ₽	Купить
727GS Весь мир	IXFP3N120 IXYS	от 1 465 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IXFP3N120 IXYS	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IXFP3N120	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
Preliminary Data Sheet
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL Md Weight 1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s Mounting torque (TO-220) TO-220 TO-263 IS IDM, di/dt 100 A/µs, VDD VDSS, TJ 150°C, RG = 4.7 TC = 25°C Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 M Continuous Transient TC = 25°C
IXFA 3N120 IXFP 3N120

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3 А
• Drain Source Voltage Vds: 120 В
• On State Resistance: 4.5 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• Capacitance Ciss Typ: 1050 пФ
• Current Id Max: 3 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.62°C/W
• N-channel Gate Charge: 39nC
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 200 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 1.2 кВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 250 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
• Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
• Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
• Fischer Elektronik - WLK 5