Datasheet IXFP4N100Q - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

Купить IXFP4N100Q на РадиоЛоцман.Цены — от 107 до 596 ₽ 20 предложений от 14 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 1 кВ, 4 А, 3 Ом, TO-220, Through Hole
AllElco Electronics Весь мир	IXFP4N100Q IXYS	от 107 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IXFP4N100Q IXYS	137 ₽	Купить
Контест Россия	IXFP4N100Q IXYS	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IXFP4N100Q IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
Preliminary Data Sheet
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL Md Weight 1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s Mounting torque (TO-220) TO-220 TO-263 IS Ј IDM, di/dt Ј 100 A/ms, VDD Ј VDSS, TJ Ј 150°C, RG = 2 W TC = 25°C Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW Continuous Transient TC = 25°C TC = 25°C, pulse width limited by TJM TC = 25°C TC = 25°C
IXFA 4N100Q IXFP 4N100Q

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4 А
• Drain Source Voltage Vds: 1 кВ
• On State Resistance: 3 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• Capacitance Ciss Typ: 1050 пФ
• Current Id Max: 4 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.8°C/W
• N-channel Gate Charge: 39nC
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 156 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 1 кВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 250 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
• Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
• Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
• Fischer Elektronik - WLK 5