Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet IXFR140N20P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS247 — Даташит

IXYS IXFR140N20P

Наименование модели: IXFR140N20P

31 предложений от 14 поставщиков
Mosfet, N, Isoplus247; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:90A; On Resistance Rds(On):0.022Ohm
T-electron
Россия и страны СНГ
IXFR140N20P
IXYS
1 019 ₽
AiPCBA
Весь мир
IXFR140N20P
IXYS
1 060 ₽
Элитан
Россия
IXFR140N20P
2 937 ₽
Acme Chip
Весь мир
IXFR140N20P
IXYS
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHTTM HiPerFET IXFR 140N20P Power MOSFET
ISOPLUS247TM
(Electrically Isolated Back Surface)
N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 ID(RMS) IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL VISOL Md Weight Symbol Test Conditions (TJ = 25° C, unless otherwise specified) BVDSS VGS(th) IGSS IDSS RDS(on) VGS = 0 V, ID = 250 µA VDS = VGS, ID = 4 mA VGS = ±20 VDC, VDS = 0 VDS = VDSS VGS = 0 V TJ = 150° C 17 1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s 50/60 Hz, RMS, 1 minute Terminal torque Mounting torque Test Conditions TJ = 25° C to 175° C TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 M Continuous Transient TC = 25° C External lead current limit TC = 25° C, pulse width limited by TJM TC = 25° C TC = 25° C TC = 25° C IS IDM, di/dt 100 A/µs, VDD VDSS, TJ 150° C, RG = 4 TC = 25° C Maximum Ratings 200 200 ±20 ±30 90 75 280 60 100 4 10 300 -55 ...

+175 175 -55 ... +150 300 2500 V V V V A A A A mJ J V/ns W °C °C °C °C V~

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 90 А
  • Drain Source Voltage Vds: 200 В
  • On State Resistance: 22 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: ISOPLUS-247
  • Количество выводов: 3
  • Capacitance Ciss Typ: 7500 пФ
  • Current Id Max: 90 А
  • Напряжение изоляции: 2.5 кВ
  • N-channel Gate Charge: 240nC
  • Тип корпуса: ISOPLUS-247
  • Power Dissipation Pd: 300 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
  • Voltage Vds Typ: 200 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс
  • Rth: 0.5

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA091203SM
  • Panasonic - EYGA121807A

На английском языке: Datasheet IXFR140N20P - IXYS MOSFET, N, ISOPLUS247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России