Datasheet IXFR180N15P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS247 — Даташит

Купить IXFR180N15P на РадиоЛоцман.Цены — от 409 до 4 885 ₽ 17 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, IXYS SEMICONDUCTOR IXFR180N15P MOSFET Transistor, N Channel, 100A, 150V, 13mohm, 10V, 5V
AllElco Electronics Весь мир	IXFR180N15P IXYS	409 ₽	Купить
ЭИК Россия	IXFR180N15P	от 3 400 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IXFR180N15P IXYS	от 3 455 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	IXFR180N15P IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
ISOPLUS247TM
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 ID(RMS) IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL VISOL Fd Weight 1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s 50/60 Hz, RMS, 1 minute Mounting force Test Conditions TJ = 25° C to 175° C TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 M Continuous Transient TC = 25° C External Lead current limit TC = 25° C, pulse width limited by TJM TC = 25° C TC = 25° C TC = 25° C IS IDM, di/dt 100 A/µs, VDD VDSS, TJ 150° C, RG = 4 TC = 25° C
IXFR 180N15P

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 100 А
• Drain Source Voltage Vds: 150 В
• On State Resistance: 13 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: ISOPLUS-247
• Количество выводов: 3
• Capacitance Ciss Typ: 7000 пФ
• Current Id Max: 100 А
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• N-channel Gate Charge: 240nC
• Тип корпуса: ISOPLUS-247
• Power Dissipation Pd: 300 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 150 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс
• Rth: 0.5

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A