Datasheet IXFR200N10P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS247 — Даташит
Наименование модели: IXFR200N10P
Купить IXFR200N10P на РадиоЛоцман.Цены — от 362 до 2 716 ₽ 21 предложений от 12 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 2А; 125Вт; TO247AC | |||
IRFPG30PBF Vishay | от 362 ₽ | ||
IXFR200N10P IXYS | 978 ₽ | ||
IXFR200N10P IXYS | от 1 407 ₽ | ||
IXFR200N10P_06 IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS247
Краткое содержание документа:
PolarTM HiPerFET Power MOSFET
Electrically Isolated Tab
IXFR 200N10P
VDSS = 100 V ID25 = 133 A RDS(on) 9 m tRR 150 ns
N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode, Avavanche Rated
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 133 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 9 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 15 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: ISOPLUS-247
- Количество выводов: 3
- Capacitance Ciss Typ: 7600 пФ
- Current Id Max: 133 А
- Напряжение изоляции: 2.5 кВ
- N-channel Gate Charge: 235nC
- Тип корпуса: ISOPLUS-247
- Power Dissipation Pd: 300 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 150 нс
- Rth: 0.5
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A