Datasheet IXFR36N60P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS247 — Даташит

Купить IXFR36N60P на РадиоЛоцман.Цены — от 37 до 2 495 ₽ 39 предложений от 17 поставщиков Высоковольтное MOS, IXYS SEMICONDUCTOR IXFR36N60P Power MOSFET, N Channel, 20A, 600V, 200mohm, 10V, 5V
T-electron Россия и страны СНГ	IXFR36N60P IXYS	720 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IXFR36N60P IXYS	от 780 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IXFR36N60P IXYS	979 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	IXFR36N60P IXYS	от 2 495 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
(Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFR 36N60P
VDSS ID25
RDS(on) trr

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 20 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 200 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: ISOPLUS-247
• Количество выводов: 3
• Capacitance Ciss Typ: 5800 пФ
• Current Id Max: 20 А
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• N-channel Gate Charge: 102nC
• Тип корпуса: ISOPLUS-247
• Power Dissipation Pd: 208 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс
• Rth: 0.6

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A