Datasheet IXFR64N50P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS247 — Даташит
Наименование модели: IXFR64N50P
![]() 20 предложений от 13 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; PolarHVTM; полевой; 500В; 37А; 300Вт; 200нс | |||
IXFR64N50P IXYS | 1 055 ₽ | ||
IXFR64N50P Littelfuse | от 2 289 ₽ | ||
IXFR64N50P IXYS | от 2 653 ₽ | ||
IXFR64N50P | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS247
Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
ISOPLUS247TM
IXFR 64N50P
VDSS ID25
(Electrically Isolated Back Surface)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 35 А
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On State Resistance: 95 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: ISOPLUS-247
- Количество выводов: 3
- Capacitance Ciss Typ: 8700 пФ
- Current Id Max: 35 А
- Напряжение изоляции: 2.5 кВ
- N-channel Gate Charge: 150nC
- Тип корпуса: ISOPLUS-247
- Power Dissipation Pd: 300 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
- Voltage Vds Typ: 500 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс
- Rth: 0.42
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A