Datasheet IXFR80N50P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS247 — Даташит

Купить IXFR80N50P на РадиоЛоцман.Цены — от 436 до 4 019 ₽ 28 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 45А; 360Вт; ISOPLUS247TM
T-electron Россия и страны СНГ	IXFR80N50P IXYS	1 271 ₽	Купить
Maybo Весь мир	IXFR80N50P IXYS	1 976 ₽	Купить
ЭИК Россия	IXFR80N50P IXYS	от 3 468 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IXFR80N50P IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247TM
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
Symbol VDSS VDGR VGSM VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL FC VISOL Weight Test Conditions TJ = 25° C to 150° C TJ = 25° C to 150° C; RGS = 1 M Transient Continuous
IXFR 80N50P
VDSS ID25 trr

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 45 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 72 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: ISOPLUS-247
• Количество выводов: 3
• Capacitance Ciss Typ: 12700 пФ
• Current Id Max: 45 А
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• N-channel Gate Charge: 197nC
• Тип корпуса: ISOPLUS-247
• Power Dissipation Pd: 360 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс
• Rth: 0.35

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A