Datasheet IXFT140N10P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-268 — Даташит
Наименование модели: IXFT140N10P
![]() 27 предложений от 17 поставщиков IXYS SEMICONDUCTOR IXFT140N10P MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 140 A, 100 V, 11 mohm, 15 V, 5 V | |||
IXFT140N10P-TRL IXYS | 640 ₽ | ||
IXFT140N10P IXYS | 1 112 ₽ | ||
IXFT140N10P IXYS | по запросу | ||
IXFT140N10P IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-268
Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET IXFH 140N10P IXFT 140N10P Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 ID(RMS) IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md Weight 1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s Plastic body for 10s Mounting torque TO-247 TO-268 (TO-247) Test Conditions TJ = 25° C to 175° C TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 M Continuous Transient TC = 25° C External lead current limit TC = 25° C, pulse width limited by TJM TC = 25° C TC = 25° C TC = 25° C IS IDM, di/dt 100 A/µs, VDD VDSS, TJ 150° C, RG = 4 TC = 25° C Maximum Ratings 100 100 ±20 ±30 140 75 300 60 80 2.5 10 600 -55 ...
+175 175 -55 ... +150 300 260 V V V V A A A A mJ J V/ns W °C °C °C °C °C
VDSS ID25
RDS(on) trr
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 140 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 11 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 15 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: TO-268
- Количество выводов: 3
- Capacitance Ciss Typ: 4700 пФ
- Current Id Max: 140 А
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.25°C/W
- N-channel Gate Charge: 155nC
- Тип корпуса: TO-268
- Power Dissipation Pd: 600 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 150 нс
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A