Datasheet IXFT26N60P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-268 — Даташит

Купить IXFT26N60P на РадиоЛоцман.Цены — от 412 до 576 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков IXYS SEMICONDUCTOR IXFT26N60PPower MOSFET, N Channel, 26 A, 600 V, 270 mohm, 10 V, 5 V
ЧипСити Россия	IXFT26N60P IXYS	446 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IXFT26N60P IXYS	564 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IXFT26N60P	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IXFT26N60P IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-268

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFH26N60P IXFT26N60P IXFV26N60P IXFV26N60PS
VDSS = 600 V ID25 = 26 A RDS(on) 270 m trr 200 ns
Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 26 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 270 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-268
• Количество выводов: 3
• Capacitance Ciss Typ: 4150 пФ
• Current Id Max: 26 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.27°C/W
• N-channel Gate Charge: 72nC
• Тип корпуса: TO-268
• Power Dissipation Pd: 460 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A