Datasheet IXFT36N50P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-268 — Даташит

Купить IXFT36N50P на РадиоЛоцман.Цены — от 158 до 1 427 ₽ 33 предложений от 17 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
ChipWorker Весь мир	IXFT36N50P IXYS	240 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IXFT36N50P IXYS	от 1 112 ₽	Купить
SUV System Весь мир	IXFT36N50P	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IXFT36N50P IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-268

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFH 36N50P IXFT 36N50P IXFV 36N50P IXFV 36N50PS
VDSS ID25 trr
RDS(on)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 36 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 170 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-268
• Количество выводов: 3
• Capacitance Ciss Typ: 5500 пФ
• Current Id Max: 36 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.23°C/W
• N-channel Gate Charge: 93nC
• Тип корпуса: TO-268
• Power Dissipation Pd: 540 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A