Datasheet IXFT36N50P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-268 — Даташит

Купить IXFT36N50P на РадиоЛоцман.Цены — от 159 до 1 468 ₽ 33 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 36А; 540Вт; TO268
ЧипСити Россия	IXFT36N50P Littelfuse	558 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IXFT36N50P IXYS	1 232 ₽	Купить
Maybo Весь мир	IXFT36N50P IXYS	1 437 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	IXFT36N50P IXYS	от 1 468 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-268

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFH 36N50P IXFT 36N50P IXFV 36N50P IXFV 36N50PS
VDSS ID25 trr
RDS(on)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 36 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 170 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-268
• Количество выводов: 3
• Capacitance Ciss Typ: 5500 пФ
• Current Id Max: 36 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.23°C/W
• N-channel Gate Charge: 93nC
• Тип корпуса: TO-268
• Power Dissipation Pd: 540 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A