Datasheet IXFV26N50PS - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SMD, PLUS220 — Даташит

Купить IXFV26N50PS на РадиоЛоцман.Цены — от 406 до 620 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin(3+Tab) PLUS 220
ЧипСити Россия	IXFV26N50P IXYS	406 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IXFV26N50P	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IXFV26N50P IXYS	по запросу	Купить
IC Home Весь мир	IXFV26N50P IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SMD, PLUS220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md FC Weight Test Conditions TJ = 25° C to 150° C TJ = 25° C to 150° C; RGS = 1 M Continuos Transient TC = 25° C
IXFH 26N50P IXFV 26N50P IXFV 26N50PS
VDSS = ID25 = RDS(on) trr

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 26 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 230 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PLUS220
• Количество выводов: 3
• Capacitance Ciss Typ: 3600 пФ
• Current Id Max: 26 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.31°C/W
• N-channel Gate Charge: 60nC
• Тип корпуса: PLUS220
• Power Dissipation Pd: 400 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A