Datasheet IXFX20N120 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, PLUS-247 — Даташит

Купить IXFX20N120 на РадиоЛоцман.Цены — от 50 до 4 828 ₽ 31 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; PolarTM; полевой; 1,2кВ; 20А; 780Вт; PLUS247TM
T-electron Россия и страны СНГ	IXFX20N120P IXYS	1 416 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IXFX20N120P IXYS	от 1 443 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IXFX20N120 IXYS	1 552 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	IXFX20N120P IXYS	от 4 828 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, PLUS-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Advanced Technical Information
HiPerFETTM Power MOSFETs
IXFK 20N120 IXFX 20N120
VDSS ID25
RDS(on)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 20 А
• Drain Source Voltage Vds: 1.2 кВ
• On State Resistance: 750 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PLUS247
• Количество выводов: 3
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 2J
• Current Id Max: 20 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 160nC
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 750 МОм
• Тип корпуса: PLUS-247
• Power Dissipation Pd: 780 Вт
• Pulse Current Idm: 80 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
• Repetitive Avalanche Energy Max: 40mJ
• Reverse Recovery Time trr Typ: 300 нс
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
• Тип транзистора: MOSFET
• Voltage Vds Typ: 1.2 кВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 5 В
• Вес: 6 г

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A