Datasheet IXTK102N30P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-264 — Даташит

Купить IXTK102N30P на РадиоЛоцман.Цены — от 44 до 2 574 ₽ 20 предложений от 12 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы
ChipWorker Весь мир	IXTK102N30P IXYS	44 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IXTK102N30P Littelfuse	от 1 640 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IXTK102N30P IXYS	1 720 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IXTK102N30P	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-264

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHTTM Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTK 102N30P
VDSS = 300 V ID25 = 102 A RDS(on) 33 m
Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 ID(RMS) IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md Weight

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 102 А
• Drain Source Voltage Vds: 300 В
• On State Resistance: 33 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-264
• Количество выводов: 3
• Capacitance Ciss Typ: 7500 пФ
• Current Id Max: 102 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.18°C/W
• N-channel Gate Charge: 224nC
• Тип корпуса: TO-264
• Power Dissipation Pd: 700 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 300 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 250 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A