Datasheet IXTK120N25P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-264 — Даташит
Наименование модели: IXTK120N25P
![]() 45 предложений от 18 поставщиков Транзистор: N-MOSFET, PolarTM, полевой, 250В, 120А, 700Вт, TO264 | |||
IXTK120N25P IXYS | 146 ₽ | ||
IXTK120N25P Littelfuse | от 1 987 ₽ | ||
IXTK120N25P IXYS | от 2 188 ₽ | ||
IXTK120N25P IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-264
Краткое содержание документа:
PolarHTTM Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTK 120N25P
VDSS = 250 V ID25 = 120 A RDS(on) 24 m
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 ID(RMS) IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md Weight
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 250 В
- On State Resistance: 24 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-264
- Количество выводов: 3
- Capacitance Ciss Typ: 8000 пФ
- Current Id Max: 120 А
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.18°C/W
- N-channel Gate Charge: 185nC
- Тип корпуса: TO-264
- Power Dissipation Pd: 700 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vds Typ: 250 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A