Datasheet IXTK180N15P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-264 — Даташит
Наименование модели: IXTK180N15P
![]() 32 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; PolarTM; полевой; 150В; 180А; 800Вт; TO264 | |||
IXTK180N15P IXYS | от 272 ₽ | ||
IXTK180N15P IXYS | 1 272 ₽ | ||
IXTK180N15P IXYS | от 2 072 ₽ | ||
IXTK180N15P IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-264
Краткое содержание документа:
PolarHTTM Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTK 180N15P
VDSS = 150 V ID25 = 180 A RDS(on) 10 m
Symbol VDSS VDGR VDSS VGSM ID25 ID(RMS) IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md Weight
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 180 А
- Drain Source Voltage Vds: 150 В
- On State Resistance: 10 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-264
- Количество выводов: 3
- Capacitance Ciss Typ: 7000 пФ
- Current Id Max: 180 А
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.18°C/W
- N-channel Gate Charge: 240nC
- Тип корпуса: TO-264
- Power Dissipation Pd: 800 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vds Typ: 150 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 150 нс
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A