Datasheet IXTK200N10P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-264 — Даташит

Купить IXTK200N10P на РадиоЛоцман.Цены — от 262 до 2 340 ₽ 24 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; PolarHTTM; полевой; 100В; 200А; 800Вт; TO264
Элитан Россия	IXTK200N10P Littelfuse	1 832 ₽	Купить
Эиком Россия	IXTK200N10P IXYS	от 2 321 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IXTK200N10P IXYS	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IXTK200N10P	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-264

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHTTM Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTK 200N10P
VDSS = 100 V ID25 = 200 A RDS(on) 7.5 m
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 ID(RMS) IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md Weight

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 200 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 7.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 15 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-264
• Количество выводов: 3
• Capacitance Ciss Typ: 7600 пФ
• Current Id Max: 200 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.18°C/W
• N-channel Gate Charge: 240nC
• Тип корпуса: TO-264
• Power Dissipation Pd: 800 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 100 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A