Datasheet IXTN21N100 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить IXTN21N100 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 584 до 6 729 ₽ 17 предложений от 14 поставщиков MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B / N-Channel 1000 V 21A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
ЧипСити Россия	IXTN21N100 IXYS	1 584 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	IXTN21N100L IXYS	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IXTN21N100 IXYS	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IXTN21N100 IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
High Voltage MegaMOSTMFETs
IXTK 21N100 IXTN 21N100
VDSS = 1000 V = 21 A ID25 RDS(on) = 0.55
N-Channel, Enhancement Mode
TO-264 AA (IXTK) Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM PD TJ TJM T stg TL VISOL Md Weight 1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s 50/60 Hz, RMS IISOL 1 mA t = 1 min t=1s 300 0.9/6 10 Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 M Continuous Transient TC = 25°C, Chip capability TC = 25°C, pulse width limited by TJM TC = 25°C Maximum Ratings IXTK IXTN 1000 1000 ±20 ±30 21 84 500 1000 1000 ±20 ±30 21 84 520 150 -55 ...

+150 2500 3000 V V V V A A W °C °C °C °C V~ V~

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 21 А
• Drain Source Voltage Vds: 1 кВ
• On State Resistance: 550 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 21 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 550 МОм
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 520 Вт
• Pulse Current Idm: 84 А
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
• Voltage Vds Typ: 1 кВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA121807A
• SCHRODER - 20900