Источники питания KEEN SIDE

Datasheet IXTN36N50 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

IXYS IXTN36N50

Наименование модели: IXTN36N50

10 предложений от 10 поставщиков
Труба MOS, SOT-227B N-CH 500V 36A
ChipWorker
Весь мир
IXTN36N50
IXYS
1 456 ₽
ЧипСити
Россия
IXTN36N50
IXYS
2 048 ₽
AllElco Electronics
Весь мир
IXTN36N50S1
IXYS
по запросу
Augswan
Весь мир
IXTN36N50S1
IXYS
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 36 А
  • Drain Source Voltage Vds: 500 В
  • On State Resistance: 120 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: ISOTOP
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 36 А
  • Current Temperature: 25°C
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Количество транзисторов: 1
  • On State Resistance Max: 120 МОм
  • Тип корпуса: ISOTOP
  • Power Dissipation Pd: 400 Вт
  • Pulse Current Idm: 133 А
  • Способ монтажа: Screw
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
  • Voltage Vds Typ: 500 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA121807A
  • SCHRODER - 20900

На английском языке: Datasheet IXTN36N50 - IXYS MOSFET, N, SOT-227B

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка