Datasheet IXTQ100N25P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-3P — Даташит

Наименование модели: IXTQ100N25P
Купить IXTQ100N25P на РадиоЛоцман.Цены — от 128 до 1 391 ₽25 предложений от 15 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
| IXTQ100N25P IXYS | 128 ₽ | ||
| IXTQ100N25P-OSEN | 199 ₽ | ||
| IXTQ100N25P | 825 ₽ | ||
| IXTQ100N25P IXYS | от 1 268 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-3P
Краткое содержание документа:
PolarHTTM Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTK 100N25P IXTQ 100N25P IXTT 100N25P
VDSS = 250 V ID25 = 100 A RDS(on) 27 m
Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 ID(RMS) IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md Weight
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 100 А
- Drain Source Voltage Vds: 250 В
- On State Resistance: 27 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-3P
- Количество выводов: 3
- Capacitance Ciss Typ: 6300 пФ
- Current Id Max: 100 А
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.21°C/W
- N-channel Gate Charge: 185nC
- Тип корпуса: TO-3P
- Power Dissipation Pd: 600 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vds Typ: 250 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A

Купить IXTQ100N25P на РадиоЛоцман.Цены




