Datasheet IXTQ100N25P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-3P — Даташит

Купить IXTQ100N25P на РадиоЛоцман.Цены — от 133 до 7 000 ₽ 30 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; PolarHTTM; полевой; 250В; 100А; 600Вт; TO3P
AiPCBA Весь мир	IXTQ100N25P IXYS	339 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IXTQ100N25P Littelfuse	от 1 230 ₽	Купить
ЭИК Россия	IXTQ100N25P Littelfuse	от 1 324 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	IXTQ100N25P IXYS	от 1 333 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-3P

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHTTM Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTK 100N25P IXTQ 100N25P IXTT 100N25P
VDSS = 250 V ID25 = 100 A RDS(on) 27 m
Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 ID(RMS) IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md Weight

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 100 А
• Drain Source Voltage Vds: 250 В
• On State Resistance: 27 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-3P
• Количество выводов: 3
• Capacitance Ciss Typ: 6300 пФ
• Current Id Max: 100 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.21°C/W
• N-channel Gate Charge: 185nC
• Тип корпуса: TO-3P
• Power Dissipation Pd: 600 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 250 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5
• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A