Дисплеи для встраиваемых приложений

Datasheet IXTQ100N25P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-3P — Даташит

IXYS IXTQ100N25P

Наименование модели: IXTQ100N25P

25 предложений от 15 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
ЧипСити
Россия
IXTQ100N25P
IXYS
128 ₽
Microfind
Россия
IXTQ100N25P-OSEN
199 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
IXTQ100N25P
825 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
IXTQ100N25P
IXYS
от 1 268 ₽
MAX13487 от JSMICRO – трансивер RS-485 с автоматическим определением направления передачи

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-3P

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHTTM Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTK 100N25P IXTQ 100N25P IXTT 100N25P
VDSS = 250 V ID25 = 100 A RDS(on) 27 m
Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 ID(RMS) IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md Weight

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 100 А
  • Drain Source Voltage Vds: 250 В
  • On State Resistance: 27 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-3P
  • Количество выводов: 3
  • Capacitance Ciss Typ: 6300 пФ
  • Current Id Max: 100 А
  • Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.21°C/W
  • N-channel Gate Charge: 185nC
  • Тип корпуса: TO-3P
  • Power Dissipation Pd: 600 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
  • Voltage Vds Typ: 250 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Reverse Recovery Time trr Max: 200 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • Panasonic - EYGA091203SM
  • Panasonic - EYGA121807A

На английском языке: Datasheet IXTQ100N25P - IXYS MOSFET, N, TO-3P

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка