Datasheet IXTQ150N15P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-3P — Даташит
Наименование модели: IXTQ150N15P
![]() 21 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; PolarHTTM; полевой; 150В; 150А; 714Вт; TO3P | |||
IXTQ150N15P Littelfuse | 438 ₽ | ||
IXTQ150N15P IXYS | 710 ₽ | ||
IXTQ150N15P IXYS | 1 178 ₽ | ||
IXTQ150N15P IXYS | 1 238 ₽ |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-3P
Краткое содержание документа:
PolarHTTM Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTK 150N15P IXTQ 150N15P
VDSS = 150 V ID25 = 150 A RDS(on) 13 m
TO-264 (IXTK) Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 ID(RMS) IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL TSOLD Md Weight 1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s Plastic body for 10 s Mounting torque Test Conditions TJ = 25° C to 175° C TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 M Continuous Transient TC = 25° C External lead current limit TC = 25° C, pulse width limited by TJM TC = 25° C TC = 25° C TC = 25° C IS IDM, di/dt 100 A/µs, VDD VDSS, TJ 175° C, RG = 4 TC = 25° C Maximum Ratings 150 150 ±20 ±30 150 75 340 60 80 2.5 10 714 -55 ...
+175 175 -55 ... +175 300 260 V V V V A A A A mJ J V/ns W °C °C °C °C °C Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 150 А
- Drain Source Voltage Vds: 150 В
- On State Resistance: 13 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: TO-3P
- Количество выводов: 3
- Capacitance Ciss Typ: 5800 пФ
- Current Id Max: 150 А
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.21°C/W
- N-channel Gate Charge: 190nC
- Тип корпуса: TO-3P
- Power Dissipation Pd: 714 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vds Typ: 150 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 150 нс
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A