Datasheet IXTQ170N10P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-3P — Даташит
Наименование модели: IXTQ170N10P
![]() 31 предложений от 17 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; PolarTM; полевой; 100В; 170А; 715Вт; TO3P | |||
IXTQ170N10P Littelfuse | 1 625 ₽ | ||
IXTQ170N10P Littelfuse | 1 926 ₽ | ||
IXTQ170N10P | по запросу | ||
IXTQ170N10P IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-3P
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 170 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 9 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 15 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-3P
- Количество выводов: 3
- Capacitance Ciss Typ: 6000 пФ
- Current Id Max: 170 А
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.21°C/W
- N-channel Gate Charge: 198nC
- Тип корпуса: TO-3P
- Power Dissipation Pd: 714 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 120 нс
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A