Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet IXTQ170N10P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-3P — Даташит

IXYS IXTQ170N10P

Наименование модели: IXTQ170N10P

31 предложений от 17 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; PolarTM; полевой; 100В; 170А; 715Вт; TO3P
Элитан
Россия
IXTQ170N10P
Littelfuse
1 625 ₽
727GS
Весь мир
IXTQ170N10P
Littelfuse
1 926 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IXTQ170N10P
по запросу
Augswan
Весь мир
IXTQ170N10P
IXYS
по запросу

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, TO-3P

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 170 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On State Resistance: 9 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 15 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: TO-3P
  • Количество выводов: 3
  • Capacitance Ciss Typ: 6000 пФ
  • Current Id Max: 170 А
  • Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.21°C/W
  • N-channel Gate Charge: 198nC
  • Тип корпуса: TO-3P
  • Power Dissipation Pd: 714 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
  • Voltage Vds Typ: 100 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Reverse Recovery Time trr Max: 120 нс

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • Panasonic - EYGA091203SM
  • Panasonic - EYGA121807A

На английском языке: Datasheet IXTQ170N10P - IXYS MOSFET, N, TO-3P

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка