Datasheet IXTQ30N50L2 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 30 А, TO-3P — Даташит
Наименование модели: IXTQ30N50L2
![]() 26 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30А; 400Вт; TO3P; 500нс | |||
IXTQ30N50L2 IXYS | 344 ₽ | ||
IXTQ30N50L2 IXYS | 977 ₽ | ||
IXTQ30N50L2 IXYS | 1 251 ₽ | ||
IXTQ30N50L2 IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 30 А, TO-3P
Краткое содержание документа:
Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA
N-Channel Enhancement Mode
IXTH30N50L2 IXTQ30N50L2 IXTT30N50L2
D
O
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On State Resistance: 200 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-3P
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 30 А
- Power Dissipation Pd: 400 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- BERGQUIST - 3223-07FR-104NH
- LAIRD TECHNOLOGIES - THER-T-LARGE
- Multicomp - MK3305
- ON Semiconductor - MC33153DG