Datasheet IXTQ30N60L2 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 30 А, TO-3P — Даташит
Наименование модели: IXTQ30N60L2
![]() 25 предложений от 15 поставщиков Труба MOS, IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ30N60L2 Power MOSFET, N Channel, 30A, 600V, 240mohm, 10V, 2.5V | |||
IXTQ30N60L2 IXYS | 1 050 ₽ | ||
IXTQ30N60L2 IXYS | 1 262 ₽ | ||
IXTQ30N60L2 Littelfuse | от 2 329 ₽ | ||
IXTQ30N60L2 IXYS | от 2 345 ₽ |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 30 А, TO-3P
Краткое содержание документа:
Preliminary Technical Information
Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA
N-Channel Enhancement Mode Avalanche rated
IXTH30N60L2 IXTQ30N60L2 IXTT30N60L2
VDSS ID25
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 240 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-3P
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 30 А
- Power Dissipation Pd: 540 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- BERGQUIST - 3223-07FR-104NH
- LAIRD TECHNOLOGIES - THER-T-LARGE
- Multicomp - MK3305
- ON Semiconductor - MC33153DG