Datasheet IXTQ88N30P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-3P — Даташит
Наименование модели: IXTQ88N30P
![]() 39 предложений от 17 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; PolarHTTM; полевой; 300В; 88А; 600Вт; TO3P | |||
IXTQ88N30P IXYS | 392 ₽ | ||
IXTQ88N30P IXYS | 935 ₽ | ||
IXTQ88N30P IXYS | от 1 516 ₽ | ||
IXTQ88N30P IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-3P
Краткое содержание документа:
PolarHTTM Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH 88N30P IXTK 88N30P IXTQ 88N30P IXTT 88N30P
VDSS ID25
RDS(on)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 88 А
- Drain Source Voltage Vds: 300 В
- On State Resistance: 40 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-3P
- Количество выводов: 3
- Capacitance Ciss Typ: 6300 пФ
- Current Id Max: 88 А
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.21°C/W
- N-channel Gate Charge: 180nC
- Тип корпуса: TO-3P
- Power Dissipation Pd: 600 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Voltage Vds Typ: 300 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 250 нс
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A