Datasheet IXTT30N60L2 - IXYS Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 30 А, TO-268 — Даташит
Наименование модели: IXTT30N60L2
![]() 24 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; Linear L2TM; полевой; 600В; 30А; 540Вт; TO268 | |||
IXTT30N60L2 IXYS | 1 663 ₽ | ||
IXTT30N60L2 Littelfuse | от 2 311 ₽ | ||
IXTT30N60L2 IXYS | от 2 331 ₽ | ||
IXTT30N60L2 IXYS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 30 А, TO-268
Краткое содержание документа:
Preliminary Technical Information
Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA
N-Channel Enhancement Mode Avalanche rated
IXTH30N60L2 IXTQ30N60L2 IXTT30N60L2
VDSS ID25
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 240 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-268
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 30 А
- Power Dissipation Pd: 540 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- AAVID THERMALLOY - 573400D00000G
- Fischer Elektronik - FK244 08 D3 PAK
- ON Semiconductor - MC33153DG