Datasheet NTE2395 - NTE Electronics Даташит Полевой транзистор, N — Даташит
Наименование модели: NTE2395
![]() 18 предложений от 10 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 200А; 150Вт; TO220 | |||
NTE2395 NTE Electronics | 488 ₽ | ||
NTE2395 NTE Electronics | 2 902 ₽ | ||
NTE2395 | 50 770 ₽ | ||
NTE2395 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Полевой транзистор, N
Краткое содержание документа:
NTE2395 MOSFET NCh, Enhancement Mode High Speed Switch
Features: D Dynamic dv/dt Rating D +175°C Operating Temperature D Fast Switching D Ease of Paralleling D Simple Drive Requirements Absolute Maximum Ratings: Continuous Drain Current (VGS = 10V), ID TC = +25°C (Note 1) .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36A Pulsed Drain Current (Note 2), IDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W Derate Linearly Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W/°C GatetoSource Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 50 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On State Resistance: 28 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 50 А
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 150 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть