Datasheet NTE2373 - NTE Electronics Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -200 В, 11 А TO-220 — Даташит

Купить NTE2373 на РадиоЛоцман.Цены — от 145 до 65 765 ₽ 26 предложений от 10 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт; TO220
ЧипСити Россия	NTE2373 NTE Electronics	612 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	NTE2373 NTE Electronics	от 1 206 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	NTE2373 NTE Electronics	от 1 400 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	NTE2373	65 765 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -200 В, 11 А TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2373 MOSFET P­Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
Features: D Dynamic dv/dt Rating D Repetitive Avalanche Rated D Fast Switching D Ease of Paralleling D Simple Drive Requirements Absolute Maximum Ratings: Continuous Drain Current (VGS = 10V), ID TC = +25°C .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11A TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.8A Pulsed Drain Current (Note 1), IDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44A Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W Derate Linearly Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W/°C Gate­to­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 11 А
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On Resistance Rds(on): 500 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В

RoHS: есть