Datasheet NTE2373 - NTE Electronics Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -200 В, 11 А TO-220 — Даташит

Купить NTE2373 на РадиоЛоцман.Цены — от 532 до 71 569 ₽ 16 предложений от 7 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
Utmel Весь мир	NTE2373	от 532 ₽	Купить
ЧипСити Россия	NTE2373 NTE Electronics	666 ₽	Купить
ЭИК Россия	NTE2373 NTE Electronics	от 1 319 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	NTE2373 NTE Electronics	от 1 569 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -200 В, 11 А TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2373 MOSFET P­Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
Features: D Dynamic dv/dt Rating D Repetitive Avalanche Rated D Fast Switching D Ease of Paralleling D Simple Drive Requirements Absolute Maximum Ratings: Continuous Drain Current (VGS = 10V), ID TC = +25°C .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11A TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.8A Pulsed Drain Current (Note 1), IDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44A Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W Derate Linearly Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W/°C Gate­to­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 11 А
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On Resistance Rds(on): 500 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В

RoHS: есть