Datasheet NTE2376 - NTE Electronics Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 200 В, 30 А, TO-247 — Даташит

Купить NTE2376 на РадиоЛоцман.Цены — от 235 до 1 717 ₽ 26 предложений от 10 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 19А; Idm: 120А; 190Вт; TO247
ChipWorker Весь мир	NTE2376 NTE Electronics	536 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE2376 NTE Electronics	952 ₽	Купить
ЧипСити Россия	NTE2376 NTE Electronics	961 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	NTE2376	от 1 717 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 200 В, 30 А, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2376 MOSFET N­Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
Features: D Dynamic dv/dt Rating D Repetitive Avalanche Rated D Isolated Central Mounting Hole D Fast Switching D Ease of Paralleling D Simple Drive Requirements Absolute Maximum Ratings: Continuous Drain Current (VGS = 10V), ID TC = +25°C .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19A Pulsed Drain Current (Note 1), IDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120A Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190W Derate Linearly Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5W/°C Gate­to­Source Vo

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 30 А
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On Resistance Rds(on): 85 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 657-25ABPE