Datasheet NTE2377 - NTE Electronics Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 900 В, 8 А, TO-3P — Даташит

Купить NTE2377 на РадиоЛоцман.Цены — от 978 до 126 070 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Высоковольтное MOS, TO-3P N-CH 900V 8A
AiPCBA Весь мир	NTE2377 NTE Electronics	1 484 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	NTE2377	3 780 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	NTE2377. NTE Electronics	по запросу	Купить
Океан Электроники Россия	NTE2377 NTE Electronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 900 В, 8 А, TO-3P

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2377 MOSFET N­Channel, Enhancement Mode, High Speed
Description: The NTE2377 is an N­Channel Enhancement Mode Power MOS Field Effect Transistor.

Easy drive and very fast switching times make this device ideal for high speed switching applications. Typical applications include switching mode power supplies, uninterruptible power supplies, and motor speed control. Features: D Low ON­State Resistance D Very High­Speed Switching D Converters Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Drain­Source Voltage, VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V Gate­Source Voltage, VGSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V DC Drain Current, ID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A Pulsed Drain Current (Note 1), IDP . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 8 А
• Drain Source Voltage Vds: 900 В
• On Resistance Rds(on): 1.6 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В

RoHS: есть