Datasheet NTE2380 - NTE Electronics Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 500 В, 2.5 А TO-220 — Даташит

Купить NTE2380 на РадиоЛоцман.Цены — от 459 до 38 431 ₽ 18 предложений от 9 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
ЧипСити Россия	NTE2380 NTE Electronics	459 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE2380 NTE Electronics	489 ₽	Купить
Utmel Весь мир	NTE2380	от 499 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTE2380	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 500 В, 2.5 А TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2380 (N­Ch) & NTE2381 (P­Ch) Complementary Silicon Gate MOSFETs Enhancement Mode, High Speed Switch
Description: The NTE2380 (N­Ch) and NTE2381 (P­Ch) are complementary TMOS power FETs in a TO220 type package designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid, and relay drivers.

Features: D Silicon Gate for Fast Switching Speeds D Rugged ­ SOA is Power Dissipation Limited D Source­to­Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads Absolute Maximim Ratings: Drain­Source Voltage, VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V Drain­Gate Voltage (RGS = 1M), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V Gate­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V Drain Current, ID Continuous NTE2380 . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On Resistance Rds(on): 3 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB