Datasheet NTE2380 - NTE Electronics Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 500 В, 2.5 А TO-220 — Даташит

Купить NTE2380 на РадиоЛоцман.Цены — от 134 до 34 770 ₽ 23 предложений от 10 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,5А; Idm: 10А; 40Вт; TO220
ЧипСити Россия	NTE2380 NTE Electronics	416 ₽	Купить
ЭИК Россия	NTE2380 NTE Electronics	от 939 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	NTE2380	от 992 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	NTE2380	34 770 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 500 В, 2.5 А TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2380 (N­Ch) & NTE2381 (P­Ch) Complementary Silicon Gate MOSFETs Enhancement Mode, High Speed Switch
Description: The NTE2380 (N­Ch) and NTE2381 (P­Ch) are complementary TMOS power FETs in a TO220 type package designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid, and relay drivers.

Features: D Silicon Gate for Fast Switching Speeds D Rugged ­ SOA is Power Dissipation Limited D Source­to­Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads Absolute Maximim Ratings: Drain­Source Voltage, VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V Drain­Gate Voltage (RGS = 1M), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V Gate­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V Drain Current, ID Continuous NTE2380 . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On Resistance Rds(on): 3 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB