Datasheet NTE2381 - NTE Electronics Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -500 В, 2 А, TO-220 — Даташит

Купить NTE2381 на РадиоЛоцман.Цены — от 520 до 801 ₽ 8 предложений от 4 поставщиков Труба MOS, TO-220P-CH 500V 2A
ChipWorker Весь мир	NTE2381 NTE Electronics	520 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	NTE2381	от 743 ₽	Купить
ЧипСити Россия	NTE2381 NTE Electronics	753 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE2381 NTE Electronics	801 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -500 В, 2 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2380 (N­Ch) & NTE2381 (P­Ch) Complementary Silicon Gate MOSFETs Enhancement Mode, High Speed Switch
Description: The NTE2380 (N­Ch) and NTE2381 (P­Ch) are complementary TMOS power FETs in a TO220 type package designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid, and relay drivers.

Features: D Silicon Gate for Fast Switching Speeds D Rugged ­ SOA is Power Dissipation Limited D Source­to­Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads Absolute Maximim Ratings: Drain­Source Voltage, VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V Drain­Gate Voltage (RGS = 1M), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V Gate­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V Drain Current, ID Continuous NTE2380 . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 2 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On Resistance Rds(on): 6 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 6 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB