Datasheet NTE2382 - NTE Electronics Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 100 В, 9.2 А TO-220 — Даташит

Купить NTE2382 на РадиоЛоцман.Цены — от 97 до 3 800 ₽ 14 предложений от 9 поставщиков Isolated 1W Single Output SM DC/DC Converters
ЧипСити Россия	NTE2382 NTE Electronics	169 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE2382 NTE Electronics	263 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	NTE2382	387 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	NTE2382 NTE Electronics	от 706 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 100 В, 9.2 А TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2382 MOSFET N­Channel Enhancement Mode, High Speed Switch (Compl to NTE2383)
Description: The NTE2382 is a MOS power N­Channel FET in a TO220 type package designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid, and relay drivers.

Features: D Lower RDS(ON) D Improved Inductive Ruggedness D Fast Switching Times D Rugged Polysilicon Gate Cell Structure D Lower Input Capacitance D Extended Safe Operating Area D Improved High Temperature Reliability Absolute Maximim Ratings: Drain­Source Voltage (Note 1), VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Drain­Gate Voltage (RGS = 1M, Note 1), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Gate­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V Continuous Drain Current, ID TC = +25°C . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 9.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 0.27 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB