Datasheet NTE2382 - NTE Electronics Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 100 В, 9.2 А TO-220 — Даташит

Купить NTE2382 на РадиоЛоцман.Цены — от 301 до 46 993 ₽ 19 предложений от 8 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
AiPCBA Весь мир	NTE2382 NTE Electronics	301 ₽	Купить
ЧипСити Россия	NTE2382 NTE Electronics	334 ₽	Купить
Utmel Весь мир	NTE2382	от 372 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	NTE2382 NTE Electronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 100 В, 9.2 А TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2382 MOSFET N­Channel Enhancement Mode, High Speed Switch (Compl to NTE2383)
Description: The NTE2382 is a MOS power N­Channel FET in a TO220 type package designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid, and relay drivers.

Features: D Lower RDS(ON) D Improved Inductive Ruggedness D Fast Switching Times D Rugged Polysilicon Gate Cell Structure D Lower Input Capacitance D Extended Safe Operating Area D Improved High Temperature Reliability Absolute Maximim Ratings: Drain­Source Voltage (Note 1), VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Drain­Gate Voltage (RGS = 1M, Note 1), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Gate­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V Continuous Drain Current, ID TC = +25°C . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 9.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 0.27 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB