Datasheet NTE2387 - NTE Electronics Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 800 В, 4 А, TO-220 — Даташит
Наименование модели: NTE2387
Купить NTE2387 на РадиоЛоцман.Цены — от 990 до 106 336 ₽ 9 предложений от 6 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | |||
| NTE2387 | от 990 ₽ | ||
| NTE2387 NTE Electronics | 1 532 ₽ | ||
| NTE2387 NTE Electronics | 1 624 ₽ | ||
| NTE2387 | 106 336 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 800 В, 4 А, TO-220
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
NTE2387 MOSFET NChannel Enhancement Mode, High Speed Switch
Absolute Maximum Ratings: DrainSource Voltage, VDS .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V DrainGate Voltage (RGS = 20k), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V GateSource Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V Pulsed Drain Current, IDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A Continuous Drain Current, ID TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.0A TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5A Total Dissipation (TC =
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 4 А
- Drain Source Voltage Vds: 800 В
- On Resistance Rds(on): 3 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB
