Datasheet NTE2387 - NTE Electronics Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 800 В, 4 А, TO-220 — Даташит

Купить NTE2387 на РадиоЛоцман.Цены — от 710 до 96 081 ₽ 12 предложений от 8 поставщиков Высоковольтное MOS, TO-220 N-CH 800V 4A
ChipWorker Весь мир	NTE2387 NTE Electronics	710 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	NTE2387	от 884 ₽	Купить
ЧипСити Россия	NTE2387 NTE Electronics	1 384 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	NTE2387	1 437 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 800 В, 4 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2387 MOSFET N­Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
Absolute Maximum Ratings: Drain­Source Voltage, VDS .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V Drain­Gate Voltage (RGS = 20k), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V Gate­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V Pulsed Drain Current, IDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A Continuous Drain Current, ID TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.0A TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5A Total Dissipation (TC =

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4 А
• Drain Source Voltage Vds: 800 В
• On Resistance Rds(on): 3 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB