Datasheet NTE2388 - NTE Electronics Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 200 В, 18 А, TO-220 — Даташит

Купить NTE2388 на РадиоЛоцман.Цены — от 156 до 50 134 ₽ 27 предложений от 11 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220
AiPCBA Весь мир	NTE2388 NTE Electronics	477 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	NTE2388 NTE Electronics	от 869 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	NTE2388	от 898 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTE2388	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 200 В, 18 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2388 MOSFET N­Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
Description: The NTE2388 is an N­Channel Enhancement Mode Power MOS Field Effect Transistor in a TO220 type package designed for low voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid, and relay drivers.

Features: D Silicon Gate for Fast Switching Speeds D Low rDS(on) to Minimize On­Losses. Specified at Elevated Temperatures. D Rugged ­ SOA is Power Dissipation Limited D Source­to­Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads Absolute Maximum Ratings: Drain­Source Voltage, VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V Drain­Gate Voltage (RGS = 20k), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V Gate­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V Drain

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 18 А
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On Resistance Rds(on): 180 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB