Datasheet NTE2392 - NTE Electronics Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 100 В, 40 А, TO-3 — Даташит

Купить NTE2392 на РадиоЛоцман.Цены — от 1 797 до 15 400 ₽ 15 предложений от 11 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 25А; Idm: 160А; 150Вт; TO3
ЧипСити Россия	NTE2392 NTE Electronics	1 797 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	NTE2392	от 2 184 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE2392 NTE Electronics	2 951 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	NTE2392 NTE Electronics	4 376 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 100 В, 40 А, TO-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2392 MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
Description: The NTE2392 is an N-Channel Enhancement Mode Power MOS Field Effect Transistor.

Easy drive and very fast switching times make this device ideal for high speed switching applications. Typical applications include switching mode power supplies, uninterruptible power supplies, and motor speed control. Features: D Fast Switching D Low Drive Current D Ease of Paralleling D No Second Breakdown D Excellent Temperature Stability Absolute Maximum Ratings: Drain-Source Voltage (Note 1), VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Drain-Gate Voltage (RGS = 20k, Note 1), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Gate-Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V Pulsed Drain Current (Note 3), IDM . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 40 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 55 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 403K