Datasheet NTE2399 - NTE Electronics Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 1 кВ, 3.1 А, TO-220 — Даташит

Купить NTE2399 на РадиоЛоцман.Цены — от 850 до 86 640 ₽ 11 предложений от 7 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 2А; Idm: 12А; 125Вт; TO220
ЧипСити Россия	NTE2399 NTE Electronics	850 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE2399 NTE Electronics	900 ₽	Купить
Элитан Россия	NTE2399 NTE Electronics	1 797 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	NTE2399 NTE Electronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 1 кВ, 3.1 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2399 MOSFET N­Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
Features: D Dynamic dv/dt Rating D Repetitive Avalanche Rated D Fast Switching D Ease of Paralleling D Simple Drive Requirements Absolute Maximum Ratings: Continuous Drain Current (VGS = 10V), ID TC = +25°C .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1A TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0A Pulsed Drain Current (Note 1), IDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W Derate Linearly Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W/°C Gate­to­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.1 А
• Drain Source Voltage Vds: 1 кВ
• On Resistance Rds(on): 0.5 Ом
• Rds(on) Test Voltage, Vgs: 10 В
• Threshold Voltage, Vgs Typ: 4 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB