Datasheet NTE2970 - NTE Electronics Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 500 В, 22 А, TO-3P — Даташит

Купить NTE2970 на РадиоЛоцман.Цены — от 830 до 2 092 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
ChipWorker Весь мир	NTE2970 NTE Electronics	830 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	NTE2970	1 077 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE2970 NTE Electronics	1 150 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	NTE2970	2 092 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 500 В, 22 А, TO-3P

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2970 MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
Features: D Avalanche Rugged Technology D Rugged Gate Oxide Technology D Lower Input Capacitance D Improved Gate Charge D Extended Safe Operating Area D Lower Leakage Current D Lower RDS(ON) Applications: D SMPS D DC-DC Converter D Battery Charger D Power Supply of Printer D Copier D HDD, FDD, TV, VCR D Personal Computer
Absolute Maximum Ratings: Drain-Source Voltage, VDSS .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V Drain Current, Continuous, ID TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22A TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13.4A Drain Current, Pulsed (Note 1), IDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 22 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On Resistance Rds(on): 290 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 30 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В

RoHS: есть