Datasheet NTE2970 - NTE Electronics Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 500 В, 22 А, TO-3P — Даташит
Наименование модели: NTE2970
![]() 8 предложений от 8 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13,4А; Idm: 88А; 278Вт; TO3P | |||
NTE2970 NTE Electronics | 857 ₽ | ||
NTE2970 NTE Electronics | 1 116 ₽ | ||
NTE2970 NTE Electronics | 2 759 ₽ | ||
NTE2970 | 132 619 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 500 В, 22 А, TO-3P
Краткое содержание документа:
NTE2970 MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
Features: D Avalanche Rugged Technology D Rugged Gate Oxide Technology D Lower Input Capacitance D Improved Gate Charge D Extended Safe Operating Area D Lower Leakage Current D Lower RDS(ON) Applications: D SMPS D DC-DC Converter D Battery Charger D Power Supply of Printer D Copier D HDD, FDD, TV, VCR D Personal Computer
Absolute Maximum Ratings: Drain-Source Voltage, VDSS .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V Drain Current, Continuous, ID TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22A TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13.4A Drain Current, Pulsed (Note 1), IDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 22 А
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On Resistance Rds(on): 290 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 30 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
RoHS: есть