Datasheet NTE66 - NTE Electronics Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 100 В, 14 А, TO-220 — Даташит

Купить NTE66 на РадиоЛоцман.Цены — от 496 до 60 462 ₽ 23 предложений от 11 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Akcel Весь мир	NTE66	от 496 ₽	Купить
Utmel Весь мир	NTE66	от 510 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE66 NTE Electronics	825 ₽	Купить
Элитан Россия	NTE66 NTE Electronics	1 069 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 100 В, 14 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE66 MOSFET N­Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
Description: The NTE66 is a TMOS Power FET in a TO220 type package designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.

Features: D Lower RDS(ON) D Improved Inductive Ruggedness D Fast Switching Times D Lower Input Capacitance D Extended Safe Operating Area D Improved High Temperature Reliability Absolute Maximum Ratings: Drain­Source Voltage (TJ = +25°C to +150°C), VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Drain­Gate Voltage (RGS = 1M, TJ = +25°C to +125°C), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Gate­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V Continuous Drain Current, ID TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 14 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 160 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB