Datasheet IXFC110N10P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS220 — Даташит

Купить IXFC110N10P на РадиоЛоцман.Цены — от 355 до 377 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков IXYS SEMICONDUCTOR IXFC110N10P MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 100 V, 17 mohm, 10 V, 5 V
ЧипСити Россия	IXFC110N10P IXYS	355 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IXFC110N10P IXYS	377 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IXFC110N10P IXYS	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	IXFC110N10P IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220TM
(Electrically Isolated Back Surface)
IXFC 110N10P
VDSS = 100 V ID25 = 60 A RDS(on) 17 m trr 150 ns
N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 60 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 17 МОм
• Корпус транзистора: ISOPLUS-220
• Capacitance Ciss Typ: 3550 пФ
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• N-channel Gate Charge: 110nC
• Тип корпуса: ISOPLUS-220
• Power Dissipation Pd: 120 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 150 нс
• Rth: 1.25

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A