Datasheet IXFC110N10P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, ISOPLUS220 — Даташит

Купить IXFC110N10P на РадиоЛоцман.Цены 5 предложений от 5 поставщиков IXYS SEMICONDUCTOR IXFC110N10P MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 100 V, 17 mohm, 10 V, 5 V
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	IXFC110N10P IXYS	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	IXFC110N10P IXYS	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IXFC110N10P IXYS	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IXFC110N10P IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: Полевой транзистор, N, ISOPLUS220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS220TM
(Electrically Isolated Back Surface)
IXFC 110N10P
VDSS = 100 V ID25 = 60 A RDS(on) 17 m trr 150 ns
N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 60 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 17 МОм
• Корпус транзистора: ISOPLUS-220
• Capacitance Ciss Typ: 3550 пФ
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• N-channel Gate Charge: 110nC
• Тип корпуса: ISOPLUS-220
• Power Dissipation Pd: 120 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Max: 150 нс
• Rth: 1.25

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A