Datasheet IXFK170N10P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, TO-264 — Даташит
Наименование модели: IXFK170N10P
 Купить IXFK170N10P на РадиоЛоцман.Цены — от 206 до 2 052 ₽25 предложений от 12 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; PolarTM; полевой; 100В; 170А; 715Вт; TO264 | |||
| IXFK170N10P IXYS | от 206 ₽ | ||
| IXFK170N10P IXYS | 1 063 ₽ | ||
| IXFK170N10P IXYS | от 2 052 ₽ | ||
| IXFK170N10P IXYS | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: IXYS
Описание: Полевой транзистор, N, TO-264
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 170 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 9 МОм
- Корпус транзистора: TO-264
- Количество выводов: 3
- Capacitance Ciss Typ: 6000 пФ
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.21°C/W
- N-channel Gate Charge: 198nC
- Тип корпуса: TO-264
- Power Dissipation Pd: 714 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Тип транзистора: High Performance (HiPerFET)
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Reverse Recovery Time trr Max: 150 нс
RoHS: есть
